Status ：Active
Polarity ：Single-N
Type ：GaN FET
Package ：DFN88
VDS [V] ：900
ID [A] ：7
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：170
RDS(ON) [mΩ] Max. ：230
VTH [V] Min. ：0.9
VTH [V] Typ. ：1.2
VTH [V] Max. ：2.5
Ciss [pF] ：60
Coss [pF] ：16
Crss [pF] ：0.37
td(on) [nS] ：4
tr [nS] ：8
td(off) [nS] ：14
tf [nS] ：8
Qg [nC] ：2.1
Qgs [nC] ：0.4
Qgd [nC] ：0.52
EAS [mJ] ：-
TRR [ns] ：-
PD [W] ：-
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：150
Qualification ：Standard
